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電界効果トランジスタAu電極
AUFET30 電界効果トランジスタ (FET) てフレキシブル
デバイスは、プラスチック基板上に金でできています。電極センシングフェーズを取得するのに役立ちます。互いにかみ合った領域 (ドレインとソース)
は、 半導体。ゲートの変更は、さまざまな目的のためにオプションです。電流はドレインと source は、WE の変更に応じて変化する調査中のパラメーターです。
この統合されたデバイスの共平面設計は、その使用を容易にし、実験に必要なサンプルを削減します。
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ププラスチック基板:L34×W10×H0.175mm
電気接点:金
AUFET30 電極は以下で構成されています。
ドレイン-ソース チャネル: バンド/ギャップ寸法が 30 μm の金のくし型電極
ゲート:3×3mm角の金電極 AUFET30 電極は、
1 パック 50 枚
接続コネクタ:BIDSC-FET
センサーは室温で乾燥した場所に保管
DropSens社の各くし形電極詳しい情報をhttp://www.dropsens.com/en/interdigitated_electrodes.htmlにご参考ください。
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